供应IS61WV102416BLL-10MLI

一下是IS61WV102416BLL-10MLI的中文资料，特点与描述。

特点
高速存取时间：8，10，20纳秒
**，低功耗的CMOS工艺
多中心的电源和接地引脚更大抗扰度
CE和OE选项轻松扩展内存
CE认证电源，
全静态操作：没有时钟或刷新需要
TTL兼容的输入和输出
单电源供电
VDD的1.65V至2.2V（IS61WV102416ALL）
速度=20ns的VDD电压为1.65V至2.2V
VDD的2.4V至3.6V（IS61/64WV102416BLL）
速度=10ns的VDD电压2.4V至3.6V
速度=8ns的VDD电压3.3V±5％
封装：
- 48球miniBGA（9毫米x 11毫米）
- 48引脚TSOP（I型）
工业和汽车温度支持
数据控制上限和下限字节
描述
ISSI公司IS61WV102416ALL/BLL和IS64WV102416BLL是高速，16M位的静态RAM组织1024K由16位字。它采用ISSI的**
CMOS技术。这种高度**的过程耦合**的电路设计技术，产量高，性能低功耗设备。
当CE为高电平（取消选择），设备假定待机模式下功耗可以CMOS输入电平降低。
易内存扩展提供使用芯片启用和输出使能输入，CE和OE。有源低写使能（WE）控制的写作和阅读内存。一个数据字节，允许高字节（UB）和较低的字节（LB）的访问。
该器件封装在JEDEC标准48针的TSOP type I和48引脚小型BGA（9毫米x 11毫米）。

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深圳市捷乐顺电子有限公司
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